IRL1004 |
RFQ for IRL1004 |
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| Technical/Catalog Information | IRL1004PBF |
| Vendor | International Rectifier |
| Category | Discrete Semiconductor Products |
| Mounting Type | Through Hole |
| FET Polarity | N-Channel |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 130A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.5 mOhm @ 78A, 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 5330pF @ 25V |
| Power - Max | 200W |
| Packaging | Bulk |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 100nC @ 4.5V |
| Package / Case | TO-220-3 (Straight Leads) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Lead Free Status | Lead Free |
| RoHS Status | RoHS Compliant |
| Other Names | IRL1004PBF IRL1004PBF |
| Product | Manufacturers | Pack | D/C |
| IRL1004 | - | TO-220 | 05+ |
Fifth Generation HEXFET® power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
The TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipation levels to approximately 50 watts. The low thermal resistance and low package cost of the TO-220 contribute to its wide acceptance throughout the industry.
| Parameter |
Max. |
Units | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ID @ TC = 25°C | Continuous Drain Current, VGS @10V |
130 |
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| ID @ TC = 100°C | Continuous Drain Current, VGS @10V |
92 |
A | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDM | Pulsed Drain Current |
520 |
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| PD @TC = 25°C | Power Dissipation |
200 |
W | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Linear Derating Factor |
1.3 |
W/°C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| VGS | Gate-to-Source Voltage |
± 16 |
V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EAS | Single Pulse Avalanche Energy |
700 |
mJ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IAR | Avalanche Current |
78 |
A | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EAR | Repetitive Avalanche Energy |
20 |
mJ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| dv/dt | Peak Diode Recovery dv/dt |
5.0 |
V/ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TJ TSTG |
Operating Junction and Storage Temperature Range |
-55 to + 175 |
°C | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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